Il produttore giapponese Kioxia, ex divisione delle memorie di Toshiba, ha dichiarato che la propria capacità produttiva di chip NAND e DRAM è completamente prenotata per l’intero 2026. L’annuncio arriva da Shunsuke Nakato, direttore del team memorie dell’azienda, che ha spiegato come la domanda globale di componenti, spinta soprattutto dall’espansione dei data center per l’AI, stia mantenendo il mercato in una fase costosa.
Aumento dei costi delle memorie e rischio di sovrapproduzione
Secondo Nakato l’attuale carenza è destinata a perdurare, con le aziende costrette a continuare a investire massicciamente nell’AI per non perdere competitività . Questa corsa agli investimenti sta creando un effetto a catena che mantiene elevati i costi delle memorie RAM e delle unità SSD, sia per il settore enterprise sia per i consumatori.
Kioxia ha avviato dei progetti per aumentare la produzione, migliorare l’efficienza dello stabilimento di Yokkaichi e portare alla piena capacità la nuova fabbrica di Kitakami entro l’anno. Come osservato in altre fasi di carenza dei semiconduttori, l’espansione produttiva richiederà però degli anni e un elevato investimento iniziale. È quindi difficile prevedere un riequilibrio rapido del mercato.
Una produzione eccessiva in caso di improvviso calo della domanda potrebbe poi portare a un surplus di memoria e a drastici ribassi dei prezzi con conseguenti perdite economiche.
Prezzi SSD in aumento, soprattutto sui modelli ad alta capacitÃ
Le analisi di mercato più recenti confermano che gli aumenti di prezzo sono più marcati per SSD da 2 TB e 4 TB, con un incremento del costo per gigabyte superiore rispetto ai modelli da 1 TB. Di conseguenza, le prospettive di una riduzione dei prezzi a breve termine restano scarse.
Per gli utenti desktop e laptop l’unica strategia immediata è quella ottimizzare l’incremento dello storage, ad esempio sfruttando eventuali slot M.2 aggiuntivi che offrono buone prestazioni con interfacce PCIe 3.0 o 4.0 e rappresentano una soluzione più efficiente rispetto all’uso di memorie esterne.
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