Il primo modulo di memoria RAM DDR5 sarebbe stato finalmente prodotto in Corea del Sud grazie alla SK Hynix, non si tratterebbe di un prototipo ma di un componente perfettamente funzionante e (almeno in teoria) pronto per la commercializzazione. I moduli DDR4 sono in circolazione dal 2013 e il mercato aspettava con ansia questa notizia.
Quando viene realizzato un modulo RAM di nuova generazione ci si attende naturalmente che quest’ultimo possa garantire performance inedite rispetto agli standard precedenti. A tal proposito, e stando alle specifiche definite dal JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), dovremmo avere come minimo una velocità compresa tra i 4.800 e i 5.600 Mbps.
Per quanto riguarda i banchi di memoria, si prevede che questi ultimi possano arrivare fino a 256 GB per esemplare. Il risparmio energetico dovrebbe essere garantito dai chip DDR5-4800 (con i quali sono stati presentati solo di recente i primi banchi da 64 GB) ma in ogni caso è difficile prevedere che moduli di questo tipo possano essere ospitati in terminali dal costo contenuto.
Le altre novità dovrebbero riguardare i canali, è infatti quasi scontato che non verrà sfruttato un unico canale a 64 bit preferendo una soluzione a doppio canale basata su architettura a 32 bit. Grazie a questo indizio è possibile ipotizzare che l’incremento delle prestazioni potrebbe essere notevole anche dal punto di vista del workload.
Così come sottolineato dai portavoce della SK Hynix, che sarebbe in procinto di eseguire i test sui moduli da 8.400 Mbps, il lancio commerciale dovrebbe avvenire entro l’anno prossimo coinvolgendo innanzitutto i segmenti Data Center e server. I test sui moduli di memoria DDR5 da 6.400 Mbps sarebbero già stati conclusi con successo.
